3月17日，太阳集团1088vip半导体受邀参展2022 EDICON跨越中国·深圳大会，活动现场太阳集团1088vip半导体重磅推出基于GaN的射频微波能2.4-2.5GHz 600W产品解决方案。

过去十余年来，固态射频微波能（Solid-state RF Energy）技术创新正为烹饪、CVD、医疗、高能物理、半导体、照明、汽车点火等众多应用带来巨大变革。相较于传统的磁控管方案，GaN以优越的特性支撑实现应用端的小型化和系统控制精准性与稳定性的提高，而高效高可靠性的表现也为整机系统带来更长的运行寿命以及更可观的节能效应。太阳集团1088vip半导体致力于为行业客户提供领先的GaN方案和技术支持，全力与合作伙伴共同打造基于GaN技术的Solid-state RF Energy生态环境。

基于2022年已发布的DOD1H2425-320EF（2.4-2.5G 300W），太阳集团1088vip半导体继续推出新一代的DOD1H2425-600EF（2.4-2.5G 600W），实现高效、高功率和高可靠性的完美组合，进一步为合作伙伴在技术和成本上提供更具竞争力的解决方案。

DOD1H2425-320EF典型性能：

1 Typical performance in Dynax Demo with the device soldered onto the heatsink,

test condition: VDS = 50 V,VGS = -4.8 V; Input signal CW.

2 Measured at Pout =54.8 dBm.

DOD1H2425-600EF典型性能：

除在常规的2450±15MHz下性能表现优异之外，凭借独特的设计，该产品可以在更大带宽下使用，2450±50MHz实测Psat保持＜0.3db的平坦度；

test condition: VDS = 50 V,VGS = -4.8 V; Input signal CW.

针对微波能应用对于器件高效、高可靠性需求：

DOD1H2425-320EF采用陶瓷780封装，尺寸20*9.4*4.2mm；

DOD1H2425-600EF采用陶瓷1230封装，尺寸32*9.4*4.52mm；

针对微波能应用场景下连续波不间断加载的特点，太阳集团1088vip半导体进行了热阻特殊设计，实现适用于连续波应用的低器件热阻特性，其中：DOD1H2425-320EF热阻参考值：单side热阻（FEA）为1.3°C/W。

DOD1H2425-600EF热阻参考值：单side热阻（FEA）为0.7°C/W。

DOD1H2425-320EF、DOD1H2425-600EF在200°C结温下，其MTTF达到10^7小时，10倍于正常标准下的10^6小时，极大的提升了系统长期运行可靠性。

依托于自有晶圆厂以及完整的设计与封测能力，太阳集团1088vip半导体将继续发挥综合优势，持续推出包括2.4-2.5G更高功率、低频（Sub-1.5GHz）高效超高功率系列在内的新一代产品，敬请期待！